Historie verzí stránky „Randrupkern3973“

Z Iurium Wiki

(teď) = rozdíly oproti nynější verzi, (předchozí) = rozdíly oproti předchozí verzi, m = malá editace

  • (teď | předchozí) 29. 3. 2024, 14:05‎ Randrupkern3973 (diskuse | příspěvky)‎ . . (3 685 bajtů) (+3 685)‎ . . (Založena nová stránka s textem „A few nm EOT and over 3 x that of InGaAs at One nm EOT, implying that will this kind of 2D semiconductors are usually offering for increased gate control o…“)
Citováno z „http://wiki.iurium.cz/w/Randrupkern3973“