Historie verzí stránky „Allisonkjeldgaard4410“

Z Iurium Wiki

(teď) = rozdíly oproti nynější verzi, (předchozí) = rozdíly oproti předchozí verzi, m = malá editace

  • (teď | předchozí) 31. 12. 2024, 17:06‎ Allisonkjeldgaard4410 (diskuse | příspěvky)‎ . . (6 925 bajtů) (+6 925)‎ . . (Založena nová stránka s textem „Double-gate tunnel field-effect transistor (DG TFET) is expected to extend the limitations of leakage current and subthreshold slope. However, it also suff…“)
Citováno z „http://wiki.iurium.cz/w/Allisonkjeldgaard4410“