Historie verzí stránky „Moserflowers5420“

Z Iurium Wiki

(teď) = rozdíly oproti nynější verzi, (předchozí) = rozdíly oproti předchozí verzi, m = malá editace

  • (teď | předchozí) 10. 7. 2024, 12:24Moserflowers5420 (diskuse | příspěvky). . (3 929 bajtů) (+3 929). . (Založena nová stránka s textem „In our dual-gate oxide ferroelectric thin-film transistor (DG Ox-FeTFT), although typical TFT trait is noted throughout bottom-gate capturing, big hysteres…“)